深圳市坪山區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展資金支持措施

第一章 總則

　　第一條【宗旨】

　　為落實國家、省、市關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，進(jìn)一步促進(jìn)坪山區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)向更高質(zhì)量發(fā)展，切實搶占新一輪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的制高點，現(xiàn)根據(jù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（國發(fā)〔2020〕8號）和《深圳市關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（深府辦規(guī)〔2019〕4號）等有關(guān)規(guī)定，特針對集成電路產(chǎn)業(yè)制定如下措施。

　　第二條【實施部門】

　　區(qū)工業(yè)和信息化局是本措施的實施部門，按照本辦法有關(guān)規(guī)定履行職責(zé)。

　　第三條【支持對象】

　　申報主體原則上必須是注冊地、統(tǒng)計地及納稅地均在坪山區(qū)的集成電路設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備、材料企業(yè)，或提供相關(guān)集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)的企業(yè)、機(jī)構(gòu)或組織。本措施具體條款另有規(guī)定的除外。

　　重點支持高端通用芯片、存儲通用芯片和高端SoC芯片、第三代半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計；邏輯工藝硅晶圓制造；SiC MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）器件、IGBT4.0器件、高端MEMS、半導(dǎo)體傳感器等特色工藝制造；晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝、三維封裝等先進(jìn)封裝測試技術(shù)；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設(shè)備等先進(jìn)裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn)；以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和生產(chǎn)。

第二章 推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展

　　第四條【支持企業(yè)落戶】

　　（一）設(shè)計企業(yè)

　　1.對新設(shè)立或新遷入的集成電路設(shè)計企業(yè)，設(shè)立或遷入后第一年或第一個會計年度內(nèi)實繳資本超過2000萬元的，對新設(shè)立的企業(yè)，按照設(shè)立后第一年或第一個會計年度實繳資本的5%，給予最高300萬元落戶獎勵；對新遷入的企業(yè)，按照遷入后第一年或第一個會計年度追加實繳資本的5%，給予最高300萬元的落戶獎勵。

　　2.對設(shè)立或遷入后第一年或第一個會計年度營業(yè)收入達(dá)2000萬元及以上的，按照營業(yè)收入的5%，給予最高300萬元落戶獎勵。

　　3.對上年度獲得創(chuàng)業(yè)投資機(jī)構(gòu)（經(jīng)區(qū)產(chǎn)業(yè)主管部門備案）投資金額達(dá)1000萬元及以上的新設(shè)立或新遷入企業(yè)，按照企業(yè)獲得投資額的5%，給予最高300萬元落戶獎勵。

　　（二）晶圓制造、封裝測試、裝備、材料企業(yè)

　　對新設(shè)立或新遷入的規(guī)模以上晶圓制造、封裝測試、裝備和材料企業(yè)，第一年或第一個會計年度實際完成工業(yè)投資5000萬元及以上的，在企業(yè)投產(chǎn)之前，按照企業(yè)當(dāng)年實際完成工業(yè)投資額的6%，給予企業(yè)最多兩年，每年最高5000萬元的落戶獎勵。

　　第五條【支持企業(yè)用房】

　　對上年度落戶坪山的集成電路企業(yè)、經(jīng)區(qū)產(chǎn)業(yè)主管部門備案的國內(nèi)外知名集成電路龍頭企業(yè)設(shè)立的華南分中心等分支機(jī)構(gòu)，在坪山區(qū)租用研發(fā)辦公或生產(chǎn)用房的，按照企業(yè)租用的同片區(qū)、同檔次產(chǎn)業(yè)用房租金參考價的50%，分別給予企業(yè)最多三年，每年最高150萬元、500萬元的資助。

　　第六條【支持企業(yè)發(fā)展壯大】

　　（一）設(shè)計企業(yè)

　　對上年度主營業(yè)務(wù)收入首次達(dá)到3000萬、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的企業(yè)，分別給予30萬元、50萬元、100萬元、150萬元、200萬元、300萬元的一次性獎勵。

　?。ǘ┚A制造、封裝測試企業(yè)

　　對上年度產(chǎn)值首次達(dá)到5億元、10億元、20億元、50億元、100億元的晶圓制造、封裝測試企業(yè)，分別給予100萬元、200萬元、300萬元、800萬元、1600萬元的一次性獎勵。

　　（三）集成電路裝備、材料企業(yè)

　　對上年度集成電路裝備或材料業(yè)務(wù)產(chǎn)值首次達(dá)到1億元、5億元、10億元、20億元的企業(yè)，分別給予50萬元、100萬元、200萬元、300萬元的一次性獎勵。

　　對獲得上述獎勵后營業(yè)收入或產(chǎn)值達(dá)到更高標(biāo)準(zhǔn)的企業(yè)，按相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)追加差額獎勵。鼓勵企業(yè)將以上獎勵資金按一定比例用于對企業(yè)核心管理人員、核心技術(shù)人員、創(chuàng)新人才等有突出貢獻(xiàn)人員的個人獎補(bǔ)。

　　第七條【支持企業(yè)兼并重組】

　　支持坪山區(qū)集成電路企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈上下游開展兼并重組，對成功并購國內(nèi)外集成電路產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)（含重點研發(fā)機(jī)構(gòu)），且并購金額達(dá)1000萬元及以上的，對企業(yè)實施兼并重組過程中發(fā)生的法律、評估、審計等中介費用，按照實際發(fā)生額的30%，給予企業(yè)最高100萬元一次性資助。

第三章 促進(jìn)產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新

　　第八條【支持關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)】

　　對符合研發(fā)加計扣除政策且研發(fā)費用總額占營業(yè)收入總額比例不低于5%的企業(yè)，按照其享受研發(fā)費用加計扣除額的10%，給予企業(yè)年度最高500萬元資助。

　　第九條【支持EDA軟件購買和使用】

　　（一）EDA軟件購買

　　對企業(yè)購買EDA設(shè)計工具軟件（含軟件升級費用）的，按照實際發(fā)生費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高300萬元資助。購買國產(chǎn)化EDA軟件的，按上述比例，給予最高400萬元資助。

　　（二）EDA軟件服務(wù)采購

　　對企業(yè)購買深圳市公共服務(wù)平臺的集成電路設(shè)計服務(wù)或利用公共服務(wù)平臺使用EDA設(shè)計工具軟件的，按照實際發(fā)生費用的30%，分別給予每家企業(yè)年度最高100萬元、50萬元的資助。

　　對企業(yè)購買坪山區(qū)內(nèi)公共服務(wù)平臺的集成電路設(shè)計服務(wù)或利用區(qū)內(nèi)公共服務(wù)平臺使用EDA設(shè)計工具軟件的，按照實際發(fā)生費用的50%，分別給予每家企業(yè)年度最高100萬元、50萬元的資助。

　　第十條【支持IP購買和復(fù)用】

　　對企業(yè)購買IP（來源于IP提供商、EDA供應(yīng)商或者代工廠IP模塊）開展高端芯片研發(fā)，按照IP購買實際支付費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高500萬元的資助。對企業(yè)使用第三方集成電路設(shè)計公共服務(wù)平臺提供的IP復(fù)用服務(wù)，按照實際發(fā)生費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高200萬元的資助。

　　第十一條【支持利用開源架構(gòu)設(shè)計芯片】

　　對企業(yè)利用RISC-V指令架構(gòu)開展芯片設(shè)計，且該款芯片產(chǎn)品上年度銷售金額累計超過500萬元的，按上年度芯片銷售金額的5%給予獎勵，單個企業(yè)年度獎勵總額最高300萬元。

　　第十二條【支持設(shè)計企業(yè)流片】

　　（一）開展MPW項目

　　對集成電路設(shè)計企業(yè)參加MPW(多項目晶圓)項目，按MPW直接費用的80％（高?；蚩蒲性核鶇⒓覯PW項目的，按MPW直接費用的90%），給予每家企業(yè)年度最高300萬元的資助。利用坪山區(qū)企業(yè)開展MPW的，按上述比例，給予每家企業(yè)年度最高500萬元的資助。

　?。ǘ┦状喂こ塘髌?/p>

　　對集成電路設(shè)計企業(yè)首次工程流片進(jìn)行資助，按首次工程流片費用（含IP授權(quán)或購置、掩模版制作、流片等）的30%，給予每家企業(yè)年度最高300萬元的資助。利用坪山區(qū)企業(yè)集成電路生產(chǎn)線流片的，按首次流片費用的60%，給予每家企業(yè)年度最高600萬元的資助。

　　第十三條【支持產(chǎn)品測試驗證】

　　對企業(yè)在第三方機(jī)構(gòu)開展工程樣片、設(shè)備、材料的功能、可靠性、兼容性、失效分析等方面測試驗證及相關(guān)認(rèn)證的，按實際發(fā)生費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高300萬元的資助。

　　第十四條【支持產(chǎn)品推廣應(yīng)用】

　?。ㄒ唬┊a(chǎn)品區(qū)內(nèi)試驗

　　對坪山區(qū)集成電路重點企業(yè)為區(qū)內(nèi)非關(guān)聯(lián)企業(yè)提供集成電路芯片、模組、設(shè)備、材料等測試試驗服務(wù)的，根據(jù)企業(yè)提供測試試驗服務(wù)的次數(shù)，按單次服務(wù)合同金額的50%，給予提供測試試驗服務(wù)的企業(yè)每年最高200萬元資助。

　?。ǘ┊a(chǎn)品區(qū)內(nèi)采購

　　對首次采購區(qū)內(nèi)非關(guān)聯(lián)企業(yè)自主研發(fā)的芯片、模組、設(shè)備和材料，且年采購金額累計達(dá)到500萬元及以上的坪山區(qū)企業(yè)，按照上年度實際采購金額的20%，給予單個項目最高300萬元，單個企業(yè)年度最高600萬元的資助。

第四章 優(yōu)化產(chǎn)業(yè)配套環(huán)境

　　第十五條【降低公共服務(wù)平臺建設(shè)運營成本】

　　支持企業(yè)（機(jī)構(gòu)）在坪山建設(shè)集成電路產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺，通過專業(yè)化的運營管理與服務(wù)，為企業(yè)提供中試研發(fā)、集成電路設(shè)計、EDA工具、IP共享、MPW、快速封裝測試，以及集成電路產(chǎn)品、設(shè)備、材料的失效性和可靠性分析、測試、驗證、認(rèn)證等公共技術(shù)支撐和ATE(自動測試設(shè)備)測試服務(wù)，助力坪山集成電路企業(yè)做大做強(qiáng)。

　?。ㄒ唬┕卜?wù)平臺建設(shè)

　　對企業(yè)（機(jī)構(gòu)）建設(shè)的公共服務(wù)平臺，經(jīng)產(chǎn)業(yè)主管部門認(rèn)定的，按EDA、IP、測試驗證設(shè)備等購置費用的50%，一次性給予最高3000萬元資助。對獲得市級相關(guān)資助的，按市級實際資助額度100%給予配套資助。以上兩項資助政策不重復(fù)享受。

　?。ǘ┕卜?wù)平臺改造升級

　　平臺建設(shè)運營后，對平臺進(jìn)行EDA、IP、測試驗證設(shè)備升級的，按實際投入金額的20%，給予最高1000萬元的改造升級資助。

　?。ㄈ┕卜?wù)平臺運營

　　支持在坪山區(qū)內(nèi)設(shè)立的國家級集成電路公共技術(shù)服務(wù)平臺、分中心為區(qū)內(nèi)集成電路企業(yè)提供產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)，根據(jù)平臺的企業(yè)服務(wù)情況，每年按其實際發(fā)生運營成本的100%給予運營單位資助。

　　第十六條【降低企業(yè)技術(shù)人才引培成本】

　　（一）關(guān)鍵技術(shù)崗位人才留用

　　對企業(yè)聘用并簽訂1年及以上期限勞動合同的境外人才或簽訂3年及以上期限勞動合同的境內(nèi)人才，且屬于集成電路技術(shù)研發(fā)、工程技術(shù)骨干或高級管理崗位的，根據(jù)個人上年度企業(yè)實發(fā)工資總額的標(biāo)準(zhǔn)每年給予獎勵。具體獎勵標(biāo)準(zhǔn)如下：

　　1.年薪30萬元（含）-50萬元（不含），給予10萬元獎勵；

　　2.年薪50萬元（含）-80萬元（不含），給予15萬元獎勵；

　　3.年薪80萬元及以上的，給予20萬元獎勵。

　?。ǘ┤瞬艑I(yè)技能培訓(xùn)

　　對企業(yè)采購第三方培訓(xùn)服務(wù)，為員工開展符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的集成電路相關(guān)技能培訓(xùn)的，按照實際發(fā)生費用的50%，給予單個企業(yè)每年最高100萬元資助。

　　第十七條【降低企業(yè)專業(yè)空間建設(shè)成本】

　　對集成電路企業(yè)在廠房建設(shè)中支出的潔凈室（萬級及以下）裝修工程費，按照實際投入費用的20%，給予最高1000萬元資助。

　　第十八條【降低企業(yè)融資成本】

　　支持企業(yè)通過抵押擔(dān)保、知識產(chǎn)權(quán)質(zhì)押、股權(quán)質(zhì)押、第三方擔(dān)保、信用保險及貿(mào)易融資等多種方式，取得銀行信貸融資。對企業(yè)從金融機(jī)構(gòu)獲得的1年期以上的貸款，按照實際利率的50%，且不超過同期LPR（貸款市場報價利率）平均值給予貼息支持，同一筆融資項目的貼息支持不超過3年，每家企業(yè)年度貼息支持最高200萬元。

　　對企業(yè)通過第三方融資擔(dān)保機(jī)構(gòu)獲得的1年期以上的信貸融資，按企業(yè)支付給擔(dān)保機(jī)構(gòu)的融資擔(dān)保費額（擔(dān)保費率不得高于2%），給予50%的資助，同一筆擔(dān)保項目連續(xù)支持不超過3年，每家企業(yè)年度資助最高200萬元。

　　第十九條【降低企業(yè)用電成本】

　　對集成電路生產(chǎn)企業(yè)用電成本，按照“先交后補(bǔ)”的方式，給予用電費用50%的資助，每家企業(yè)年度資助最高500萬元。

　　支持企業(yè)建設(shè)雙回路、儲能電站等用電設(shè)施，建成投入使用后，按照企業(yè)實際投入費用的30%，一次性給予最高500萬元的資助。

　　第二十條【降低企業(yè)環(huán)保成本】

　　對企業(yè)建設(shè)的廢氣、廢水、固體廢棄物等環(huán)境保護(hù)處理設(shè)施或工程，按照相應(yīng)設(shè)施或工程費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高500萬元的資助。

　　對企業(yè)支付的日常環(huán)保處理費用，按照實際支出費用的50%，給予每家企業(yè)年度最高100萬元的資助。

第五章 附則

　　第二十一條【其他事項】

　　（一）本措施對單個企業(yè)的資助總額不受企業(yè)上一年度在坪山區(qū)的財力貢獻(xiàn)限制，與坪山區(qū)其他優(yōu)惠政策同類的由企業(yè)按照就高不就低的原則選擇適用，不重復(fù)資助。執(zhí)行期間如遇國家、省、市、區(qū)有關(guān)政策調(diào)整的，按新政策執(zhí)行。

　　（二）本措施中申請“支持企業(yè)用房”條款的分支機(jī)構(gòu)和“降低公共服務(wù)平臺建設(shè)運營成本”條款的分中心可不受注冊地、統(tǒng)計地、納稅地、獨立法人資格條件限制。

　?。ㄈ┍敬胧┮?guī)定的“最高”“不超過”，均包含本數(shù)。所有項目的國家、省、市、區(qū)資助總額不超過項目實際投資總額。

　　（四）本措施中的“IP”指的是具有知識產(chǎn)權(quán)的、已經(jīng)設(shè)計好并經(jīng)過驗證的、可重復(fù)利用的集成電路模塊；RISC-V是一個基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA）。

　?。ㄎ澹呻娐奉I(lǐng)域的重點企業(yè)和重大投資項目，由坪山區(qū)人民政府按“一事一議”的方式進(jìn)行審議。“一事一議”的內(nèi)容包括重點企業(yè)和重大項目落戶獎勵、用地用房保障、研發(fā)與核心技術(shù)攻關(guān)、人才引進(jìn)等方面重要事項。

　?。┍敬胧┳?021年6月21日起施行，有效期至2024年12月31日，由坪山區(qū)人民政府授權(quán)區(qū)工業(yè)和信息化局負(fù)責(zé)解釋。本措施失效后分期支付未結(jié)項目的資助款按本措施標(biāo)準(zhǔn)撥付?！镀荷絽^(qū)關(guān)于促進(jìn)集成電路第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（深坪府規(guī)〔2018〕3號）同時廢止。

　　適用對象主營業(yè)務(wù)目錄

　　1.集成電路芯片設(shè)計及服務(wù)，芯片設(shè)計平臺（EDA工具）及配套IP庫。

　　2.集成電路芯片制造，線寬100納米及以下大規(guī)模數(shù)字集成電路制造，0.5微米及以下模擬、數(shù)模集成電路制造。

　　3.集成電路芯片封裝測試，包括晶圓級封裝、系統(tǒng)級封裝（SiP）、多芯片組件封裝（MCM）、芯片級封裝（CSP）、圓片級封裝（WLP）、球柵陣列封裝（BGA）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）、覆晶封裝（Flip Chip）、硅通孔（TSV）、扇出晶圓級封裝（Fan-Out）、三維封裝（3D）等先進(jìn)封裝和測試技術(shù)的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

　　4.集成電路材料。主要包括6英寸/8英寸/12英寸集成電路硅片、絕緣體上硅（SOI）、化合物半導(dǎo)體材料（含SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料），光刻膠、靶材、拋光液、研磨液、封裝材料等。

　　5.集成電路設(shè)備。主要包括集成電路制造設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備和材料設(shè)備。

　　6.半導(dǎo)體產(chǎn)品。主要包括集成電路、功率器件、汽車芯片、半導(dǎo)體傳感器、MEMS等。